氦离子气相色谱仪在大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI）和半导体器件制造中，用于气相外延生长、化学气相淀积等工艺。

　　1.外延（生长）混合气在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层的材料所用的气体叫做外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀积，多晶硅淀积，氧化硅膜淀积，氮化硅膜淀积，太阳能电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积等。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。

　　2.化学气体淀积（CVD）用混合气CVD是利用挥发性化合物，通过气相化学反应沉积某种单质或化合物的一种方法，即应用气相化学反应的一种成膜的方法。依据成膜种类，使用的化学气相淀积（CVD）气体也不同。

　　氦离子气相色谱仪适用于高纯氢、氧、氩、氮、氦、氖、氪、氙、二氧化碳等气体中痕量杂质的检测，仪器配备高灵敏度的氦离子化（PDHID）检测器，采用中心切割与反吹技术，配置具有吹扫保护气路的进样切换阀和进口氦气纯化器，通过无死体积取样或在线进样方式，一次性完成上述高纯气体中H2、O2（Ar）、N2、CH4、CO、CO2等常见杂质或C1-C4等碳氢化合物的检测，检测限达ppb级，重复性RSD≤1％。